台积电技术路线图：2纳米3纳米工艺将按时推出

全栅场效应晶体管(GAAFET)仍是台积电发展路线图的重要组成部分。该公司预计将在其“后N3”技术(大概是N2)中使用全新的晶体管。事实上，台积电正处于寻找下一代材料和晶体管结构的阶段，这些材料和晶体管结构将在未来许多年内使用。

台积电在最近的年报中称：“对于先进的CMOS（互补金属氧化物半导体），台积电的3纳米和2纳米CMOS节点在流水线上进展顺利。”此外，台积电加强的探索性研发工作集中在2纳米节点、3D晶体管、新存储器和Low-R互连等领域，这些领域正在为引入许多技术平台奠定坚实的基础。

值得注意的是，台积电正在12号工厂扩大研发能力，目前正在研发N3、N2和更先进的节点。

有信心超越代工行业整体增长率

总体而言，台积电相信，其“大家的晶圆代工厂” (everyone's foundry)战略将使其在规模、市场份额和销售额方面进一步增长。该公司还预计，未来将保持其技术领先地位，这对其增长至关重要。

台积电首席财务官黄文德最近在与分析师和投资者的电话会议上表示：“我们现在预测，2021年全年，代工行业的增长率约为16%。对于台积电来说，我们有信心能够超越晶圆代工行业的整体增长，在2021年实现20%左右的增长。”

该公司拥有强大的技术路线图，并将继续每年推出改进的前沿节点，从而以可预测的节奏为客户提供技术改进。

台积电知道如何与拥有尖端节点的竞争对手以及专注于专业工艺技术的芯片制造商竞争，因此它并不认为英特尔代工服务(IFS)是直接的威胁，特别是因为后者主要聚焦于尖端和先进的节点。

金融分析师普遍认同台积电的乐观态度，主要是因为预计该公司的N3和N5节点将不会有竞争对手提供类似的晶体管密度和晶圆产能。

华兴证券分析师表示：“继英特尔今年3月宣布的晶圆代工业务回归后，台积电愿意从2021年开始制定为期3年的1000亿美元资本支出和研发投资计划，这表明其有信心扩大代工领导地位。我们认为，随着N3和N5的出现，台积电的战略价值也在上升：HPC和智能手机应用的N5生产活动强劲，同时与N5和N7在类似阶段相比，N3客户的参与度更高。” （小小）

（编辑：甘孜站长网）

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